Die Erfindung betrifft eine Solarzelle vom kristallinen Siliziumtyp mit einer vorderseitigen Antireflexschicht (5; 4) auf Siliziumnitrid-Basis, wobei die Antireflexschicht in einer oberflächlichen Teilschicht (4) einen gegenüber dem stöchiometrischen Si-Gehalt in Si3N4 derart erhöhten Si-Anteil aufweist, dass der Brechungsindex einen Wert im Bereich zwischen 2,1 und 2,5 hat.
