一种带隙基准电压源启动电路及CMOS带隙基准电压源

摘要

本发明涉及一种带隙基准电压源启动电路及CMOS带隙基准电压源，包括一个运算放大器A1，所述运算放大器A1包括由晶体管M6和晶体管M7组成的共源放大级，该共源放大级构成该运算放大器A1的第二级，晶体管M7的漏极与晶体管M6的漏极连接，其中，作为电流源的晶体管M7是负载管，晶体管M6是放大管，还包括源跟随器A2，该源跟随器由晶体管M8和晶体管M9组成，其中，作为电流源的晶体管M9是负载管。本发明所述的带隙基准电压源启动电路稳定、可靠，而且电路简单、低功耗，解决了带隙基准电压源的上电启动问题。

主权项

一种带隙基准电压源启动电路，所述带隙基准电压源包括由三极管Q2、电阻R3和三极管Q1、电阻R1、电阻R2分别组成的两条支路以及一个运算放大器A1，所述运算放大器A1包括由晶体管M6和晶体管M7组成的共源放大级，该共源放大级构成该运算放大器A1的第二级，晶体管M7的漏极与晶体管M6的漏极连接，其中，作为电流源的晶体管M7是负载管，晶体管M6是放大管，其特征在于，所述启动电路包括：源跟随器A2，该源跟随器A2由P型晶体管M8和P型晶体管M9组成；晶体管M9的源极与晶体管M7的源极连接，其栅极与晶体管M7的栅极连接，其漏极与晶体管M8的源极连接；晶体管M8的漏极与晶体管M6的源极连接，其栅极与晶体管M6的漏极连接；所述晶体管M8的阈值电压高于所述三极管Q1、Q2的导通阀值电压，所述晶体管M9的电流的一部分流到基准源的输出，以提供基准源的上电启动。