发明名称 |
一种设置在压电基片上的梯形滤波器 |
摘要 |
本实用新型涉及一种设置在压电基片上的梯形滤波器,该设置在压电基片上的梯形滤波器包括至少一对单端对谐振器,所述一对单端对谐振器包括一个串联单端对谐振器和一个并联单端对谐振器,所述单端对谐振器上具有一层二维金属点阵。所述二维金属点阵具有多个点阵结构参数,通过调节所述多个点阵结构参数,使得所述二维金属点阵频率响应的阻带与所述梯形滤波器的远阻带叠加,同时使得所述二维金属点阵频率响应的通带与所述梯形滤波器的通带叠加,提高所述梯形滤波器远阻带带外抑制;通过调节所述多个点阵结构参数,使得所述二维金属点阵频率响应的阻带与所述梯形滤波器的通带叠加,使得所述梯形滤波器通带带宽变窄。 |
申请公布号 |
CN202759418U |
申请公布日期 |
2013.02.27 |
申请号 |
CN201220347213.8 |
申请日期 |
2012.07.17 |
申请人 |
中国科学院声学研究所 |
发明人 |
李红浪;柯亚兵;程利娜;何世堂 |
分类号 |
H03H7/12(2006.01)I;H01P1/20(2006.01)I |
主分类号 |
H03H7/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京亿腾知识产权代理事务所 11309 |
代理人 |
陈霁 |
主权项 |
一种设置在压电基片上的梯形滤波器,其特征在于,所述梯形滤波器包括至少一对单端对谐振器,所述一对单端对谐振器包括一个串联单端对谐振器和一个并联单端对谐振器,所述单端对谐振器上具有一层二维金属点阵。 |
地址 |
100190 北京市海淀区北四环西路21号 |