一种具有沟槽源极场板的Trench MOSFET晶体管

摘要

本实用新型公开了一种具有沟槽源极场板的TrenchMOSFET晶体管，从下往上依次包括漏极（213）、衬底（200）、漂移区（201）及源极（212）；漂移区（201）设有若干深沟槽（202），深沟槽（202）内设有沟槽源极场板（204），沟槽源极场板（204）两侧的深沟槽（202）内设有厚氧化层（203），沟槽源极场板（204）两侧的厚氧化层（203）上各设有一个栅极（206），栅极（206）与深沟槽（202）的内壁之间设有栅极氧化层（205）。通过本实用新型能增强晶体管的耐压能力，同时获得更快的开关速度、更小的损耗。

主权项

一种具有沟槽源极场板的Trench MOSFET晶体管，其特征在于：从下往上依次包括漏极（213）、衬底（200）、漂移区（201）及源极（212）；所述漂移区（201）设有若干深沟槽（202），深沟槽（202）内设有沟槽源极场板（204），所述沟槽源极场板（204）两侧的深沟槽（202）内设有厚氧化层（203），沟槽源极场板（204）两侧的厚氧化层（203）上各设有一个栅极（206），栅极（206）与深沟槽（202）的内壁之间设有栅极氧化层（205）；所述相邻深沟槽（202）之间设有体区（207），所述体区（207）的上方设有两个源区（208）和一个欧姆接触区（211），两个源区（208）分别位于欧姆接触区（211）的两侧；所述深沟槽（202）的上方设有隔离氧化层（209），隔离氧化层（209）上设有若干接触孔（210），欧姆接触区（211）通过接触孔（210）与源极（212）连通。