用于存储单元的自适应读写系统和方法

摘要

本发明公开了一种自适应存储器读写系统和方法，其可以适应例如因存储单元的重复循环操作的有害影响而引起的存储单元的阈值电压分布的改变。该新系统可以至少包括多电平存储单元以及被可操作地耦合到多电平存储单元的计算模块，多电平存储单元可以是多电平闪存单元。计算模块可以被配置用于至少部分基于多电平存储单元的电平分布的估计中间值和标准偏差值来计算最优或近似最优中间值和检测阈值。计算模块计算出的最优或近似最优中间值和检测阈值可以随后被分别用于辅助向多电平存储单元写入数据和从多电平存储单元读取数据。

主权项

1.一种适应存储单元的电平分布改变的自适应读写装置，包括：多电平存储单元；估计模块，该模块被配置用于确定所述多电平存储单元的电平分布的估计中间值和估计标准偏差值；以及计算模块，该模块被可操作地耦合到所述估计模块并且被配置用于至少部分基于所述估计中间值和估计标准偏差值计算最优或近似最优中间值以及最优或近似最优检测阈值，所述最优或近似最优中间值被用于辅助向所述多电平存储单元写入数据，所述最优或近似最优检测阈值被用于辅助读取存储在所述多电平存储单元中的数据，其中，所述多电平存储单元包括至少一个具有M个电平的M电平存储单元，并且所述计算模块还被配置用于根据下述方程计算所述M电平存储单元的第i电平的近似最优中间值$\widetilde{m_i}=m_0+\frac{{\sigma }_0+2\underset{k=1}{\overset{i-1}{\Sigma }}{\sigma }_k+{\sigma }_i}{{\sigma }_0+2\underset{k=1}{\overset{M-2}{\Sigma }}{\sigma }_k+{\sigma }_{M-1}}L$其中，M为大于或等于2的正整数，i为所述M个电平的序数并且0≤i≤M-1，m_i是所述M电平存储单元的第i电平的估计中间值，σ_i是所述M电平存储单元的第i电平的估计标准偏差值，L等于m_M-1-m₀，并且其中，所述估计标准偏差值σ₀、...、σ_M-1中的至少一者为非零值。