| 摘要 |
本发明系关于一种以化学气相沉积法(CVD)在一半导体晶圆上沉积一层之方法，其中一沉积气体系通过一顶部以一窗为边界且底部以一平面E为边界之通道来引导，该窗能透过热辐射，待涂覆之该半导体晶圆之表面系位于该平面E中。该沉积气体之引导速度系变化的，其系由于该平面E与该窗之间的距离D系经选取，使得在该窗之一中心区域及该窗之一边缘区域中，在外侧的距离系大于内侧的距离，且在该中心区域与该边缘区域的交界处，该距离D之径向分布的切线与该平面E形成一不小于15°且不大于25°的角度，其中该窗之该中心区域系一覆盖该半导体晶圆之该窗的内部区域，且该窗之该边缘区域系一不覆盖该半导体晶圆之该窗的外部区域。本发明进一步关于一用于以化学气相沉积法(CVD)在一半导体晶圆上沉积一层之室，以及一包含磊晶层之半导体晶圆。 |
