| 发明名称 | 半导体晶片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种用于制造半导体晶片(112)的方法。该方法包括：提供单晶硅晶片(102)；在硅晶片(102)上外延生长第一材料的第一层(108)；并且在第一层上外延生长第二材料的第二层(110)。所述第一材料是单晶碳化硅，并且所述第二材料是单晶硅。 | ||
| 申请公布号 | CN102939642A | 申请公布日期 | 2013.02.20 |
| 申请号 | CN201180028435.1 | 申请日期 | 2011.04.29 |
| 申请人 | 意法半导体股份有限公司 | 发明人 | G·阿邦丹扎 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华;张宁 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体晶片(112)的方法，包括：‑提供单晶硅晶片(102)；‑在所述硅晶片(102)上外延生长第一材料的第一层(108)；并且‑在所述第一层上外延生长第二材料的第二层(110)，其中：‑所述第一材料是单晶碳化硅，并且‑所述第二材料是单晶硅。 | ||
| 地址 | 意大利阿格拉布里安扎 | ||