一种智能电能表专用EEPROM存储芯片

摘要

本发明提供了一种智能电能表专用EEPROM存储芯片，包括由纳米晶存储单元构成的存储阵列，其中，所述纳米晶存储单元包括：半导体衬底材料及其衬底区域重掺杂形成的源导电区和漏导电区，覆盖于所述源导电区和漏导电区之间的沟道表面的隧穿介质层，所述隧穿介质层上覆盖的纳米晶存储层，包围或覆盖所述纳米晶存储层的隔离介质层，以及，所述隔离介质层之上覆盖的晶体管控制栅；所述存储阵列采用可实现对阵列中每个存储单元进行随机寻址、编程和擦除操作的架构。本发明采用纳米晶浮栅存储结构作为存储单元，可简化制造工艺，缩小器件尺寸和芯片面积，节约制造掩模数量，降低存储芯片的制造成本。

主权项

一种智能电能表专用EEPROM存储芯片，其特征在于，所述存储芯片包括由纳米晶存储单元构成的存储阵列，其中：所述纳米晶存储单元包括：半导体衬底材料及在其衬底区域重掺杂形成的源导电区和漏导电区，覆盖于所述源导电区和漏导电区之间沟道表面的隧穿介质层，所述隧穿介质层上覆盖的纳米晶存储层，包围或覆盖所述纳米晶存储层的隔离介质层，以及，所述隔离介质层之上覆盖的晶体管控制栅；所述存储阵列采用EEPROM、NOR Flash、DiNOR、DuSNOR或其他可实现对阵列中每个存储单元进行随机寻址、编程和擦除操作的架构。