一种在铜制程MIM电容工艺中采用对准标记的方法

摘要

本发明公开了一种在铜制程MIM电容工艺中采用对准标记的方法，其属于集成电路制造技术，具体包括：用光刻胶打开前工艺层次的对准标记并用该光刻胶挡住其他区域；进行蚀刻工艺并留下铜；淀积MIM电容层，将留下的铜作为光刻对准标记；上述技术方案的有益效果是：提高了芯片空间的利用率，节省了芯片资源；采用低等级的掩膜版，降低了掩膜版的成本；减少了增加氮化硅这道工艺，降低了工艺成本。

主权项

一种在铜制程MIM电容工艺中采用对准标记的方法，所述铜制程MIM电容工艺包括三个工艺层次：对准标记层、上基板层和下基板层；所述上基板层和所述下基板层用于做出整个MIM电容器件，所述对准标记层用于做出供所述上基板层和所述下基板层使用的对准标记；所述对准标记层上还包括金属介电层；其特征在于，具体步骤包括：步骤a，开始MIM电容工艺，将所述MIM电容工艺分为三个工艺层次：对准标记层、上基板层和下基板层，所述对准标记层上还包括一个金属介电层作为所述对准标记层的前工艺层次；步骤b，用光刻胶打开所述对准标记层的前工艺层次的对准标记，所述光刻胶挡住所述前工艺层次上除所述对准标记的其他区域；步骤c，进行蚀刻工艺，所述前工艺层次会被蚀刻掉，只留下铜部分，所述铜部分即为需要的对准标记；步骤d，淀积所述上基板层和所述下基板层。