| 发明名称 | 三维纳米多孔InP阵列结构材料的制备方法 | ||
| 摘要 | 三维纳米多孔InP阵列结构材料的制备方法，其特征在于，在恒定电流模式下，通过控制电化学参数，使电化学刻蚀InP过程中形成电压的自适应振荡，实现电化学可控制备InP三维纳米多孔阵列结构材料。本发明适于制备InP及其它化合物半导体材料三维纳米多孔阵列结构材料，最小单元特征尺寸可达到100纳米，所采用的电化学刻蚀工艺具有高效、廉价、简便、可在大气环境下进行等优点，便于推广和应用。 | ||
| 申请公布号 | CN102938381A | 申请公布日期 | 2013.02.20 |
| 申请号 | CN201210240072.4 | 申请日期 | 2012.07.12 |
| 申请人 | 长春理工大学 | 发明人 | 翁占坤;袁安刚;米伟勋;王作斌;宋正勋;许红梅;刘兰娇;于淼;胡贞 |
| 分类号 | H01L21/465(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/465(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 三维纳米多孔InP阵列结构材料的制备方法，其特征在于，在恒定电流模式下，通过控制电化学参数，使电化学刻蚀InP过程中形成电压的自适应振荡，实现电化学可控制备InP三维纳米多孔阵列结构材料。 | ||
| 地址 | 130022 吉林省长春市卫星路7089号 | ||