| 发明名称 | 一种电感结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种电感结构，包括片上电感以及位于所述片上电感下方的屏蔽层，所述屏蔽层包括多屏蔽单元，所述屏蔽单元与所述片上电感所产生的涡电流方向正交，所述屏蔽单元由MOS晶体管或金属线或多晶硅组成，且所述多个屏蔽单元中至少一个由MOS晶体管组成，所述MOS晶体管的源极和漏极接地。本发明充分利用片上电感下方的面积以实现稳压晶体管的功能。 | ||
| 申请公布号 | CN102938400A | 申请公布日期 | 2013.02.20 |
| 申请号 | CN201210477011.X | 申请日期 | 2012.11.22 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 李琛;皮常明;温建新 |
| 分类号 | H01L23/64(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/64(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;林彦之 |
| 主权项 | 一种电感结构，包括片上电感以及位于所述片上电感下方的屏蔽层，所述屏蔽层包括多个屏蔽单元，所述多个屏蔽单元形成至少一个屏蔽区域，所述屏蔽单元与所述片上电感所产生的涡电流方向正交，其特征在于，所述屏蔽单元由MOS晶体管或金属线或多晶硅组成，且所述多个屏蔽单元中至少一个屏蔽单元由MOS晶体管组成，所述MOS晶体管的源极和漏极接地。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 | ||