| 发明名称 | 图形化的SiC衬底 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种图形化的SiC衬底，包括在SiC单晶衬底表面有通过等离子刻蚀或者湿法腐蚀的方法形成的周期化凸起或凹陷图形，周期化凸起或凹陷图形为多边锥形、多边柱形、多棱台形、梯形多边台形、梯形圆台、半球形或球冠中的任一种。周期性图形是多边锥形、多边柱形、多棱台形、梯形多边台形、梯形圆台、半球形或球冠中任意两种或两种以上的组合。本发明公开的图形化SiC衬底可以提高以SiC为衬底的GaN的异质外延和3C-SiC同质外延的外延质量，提高以外延片制备的器件性能和稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN102925969A | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
| 申请号 | CN201210449697.1 | 申请日期 | 2012.11.12 |
| 申请人 | 上海应用技术学院 | 发明人 | 储耀卿 |
| 分类号 | C30B25/18(2006.01)I | 主分类号 | C30B25/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人 | 吴宝根;王晶 |
| 主权项 | 一种图形化的SiC衬底，包括SiC单晶衬底，其特征在于：SiC单晶衬底（1）表面有通过等离子刻蚀或者湿法腐蚀的方法形成的周期化凸起或凹陷图形。 | ||
| 地址 | 200235 上海市徐汇区漕宝路120号 | ||