| 发明名称 | 半导体封装结构 | ||
| 摘要 | 一种半导体封装结构，包括：芯片，所述芯片表面具有金属互连结构，位于所述芯片表面且暴露出所述金属互连结构的绝缘层；位于所述金属互连结构上的柱状电极；位于所述柱状电极侧壁表面、顶部表面的扩散阻挡层；位于所述绝缘层表面且覆盖柱状电极侧壁的扩散阻挡层的钝化层，所述钝化层表面与所述柱状电极顶部的扩散阻挡层表面齐平；位于所述扩散阻挡层表面的焊球。由于所述焊球位于所述暴露出的扩散阻挡层表面，扩散阻挡层使得柱状电极与焊球相隔离，不会形成锡铜界面合金化合物，所述焊球不容易从柱状电极脱落。 | ||
| 申请公布号 | CN102931159A | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
| 申请号 | CN201210445565.1 | 申请日期 | 2012.11.08 |
| 申请人 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 发明人 | 林仲珉 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/488(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体封装结构，其特征在于，包括：芯片，所述芯片表面具有金属互连结构，位于所述芯片表面且暴露出所述金属互连结构的绝缘层；位于所述金属互连结构上的柱状电极；位于所述柱状电极侧壁表面、顶部表面的扩散阻挡层；位于所述绝缘层表面且覆盖柱状电极侧壁的扩散阻挡层的钝化层，所述钝化层表面与所述柱状电极顶部的扩散阻挡层表面齐平；位于所述扩散阻挡层表面的焊球。 | ||
| 地址 | 226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号 | ||