发明名称 镍镉充电电池记忆效应消除装置
摘要 本实用新型公开了一种镍镉充电电池记忆效应消除装置。该镍镉充电电池记忆效应消除装置由1.2V镍镉充电电池、反激式间歇振荡电路、放电负载电路组成。镍镉充电电池在使用中如果放电不够彻底,就会产生记忆效应,记忆效应经过长期积累就会使镍镉充电电池无法使用。采用本实用新型所述的镍镉充电电池记忆效应消除装置,能够使镍镉充电电池完全放电,而且不会发生镍镉充电电池过放电的风险,而使镍镉充电电池的极性反转。本实用新型设计的消除记忆效应的放电电路可使镍镉充电电池放电放到0.7V,既保证了镍镉充电电池的正确放电,也不会发生电池极性反转现象,对镍镉充电电池性能“早衰”或者性能低下的均有一定修复作用,使其延迟了使用寿命。
申请公布号 CN202737523U 申请公布日期 2013.02.13
申请号 CN201220402423.2 申请日期 2012.08.14
申请人 黄宇嵩 发明人 黄宇嵩
分类号 H02J7/00(2006.01)I 主分类号 H02J7/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种镍镉充电电池记忆效应消除装置,它由1.2V镍镉充电电池、反激式间歇振荡电路、放电负载电路组成,其特征包括:反激式间歇振荡电路由NPN型晶体管VT1、电阻R1和高频变压器T组成,NPN型晶体管VT1的基极接高频变压器T的L1绕组的同名端,高频变压器T的L1绕组异名端通过电阻R1接电路正极VCC, NPN型晶体管VT1的集电极接高频变压器T的L2绕组异名端,高频变压器T的L2绕组同名端接电路正极VCC,NPN型晶体管VT1的发射极接电路地GND;放电负载电路由发光二极管LED1和发光二极管LED2组成,发光二极管LED1和发光二极管LED2的正极接NPN型晶体管VT1的集电极,发光二极管LED1的负极和发光二极管LED2的负极接电路地GND。
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