发明名称 发射辐射的半导体本体、用于制造发射辐射的半导体本体的方法和发射辐射的半导体器件
摘要 本发明提出一种发射辐射的半导体本体(14),所述半导体本体除了带有适合产生电磁辐射的有源区(4)的外延的半导体层序列(3)之外具有承载层,所述承载层设置成机械地稳固外延的半导体层序列(3)。此外,半导体本体(14)具有接触结构(9,91)以用于电接触半导体本体(14),所述接触结构分别具有体积区域(12)和表面接合区域(13),其中表面接合区域由与体积区域(12)的材料不同的材料形成。此外,提出一种用于制造这种半导体本体(14)和带有这种半导体本体(14)的器件的方法。
申请公布号 CN102934244A 申请公布日期 2013.02.13
申请号 CN201180028669.6 申请日期 2011.06.08
申请人 欧司朗光电半导体有限公司 发明人 赫贝特·布伦纳;帕特里克·宁斯
分类号 H01L33/62(2006.01)I;H05K3/32(2006.01)I;H01L33/38(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L33/62(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 张春水;田军锋
主权项 发射辐射的半导体本体(14),带有:‑外延的半导体层序列(3),所述外延的半导体层序列带有适合产生电磁辐射的有源区(4),‑承载层(1),所述承载层设置成机械地稳固所述外延的半导体层序列(3),和‑接触结构(9,91),所述接触结构用于电接触所述半导体本体(14),所述接触结构分别具有体积区域(12)和表面接合区域(13),其中所述表面接合区域(13)由与所述体积区域(12)的材料不同的材料形成。
地址 德国雷根斯堡