发明名称 |
发射辐射的半导体本体、用于制造发射辐射的半导体本体的方法和发射辐射的半导体器件 |
摘要 |
本发明提出一种发射辐射的半导体本体(14),所述半导体本体除了带有适合产生电磁辐射的有源区(4)的外延的半导体层序列(3)之外具有承载层,所述承载层设置成机械地稳固外延的半导体层序列(3)。此外,半导体本体(14)具有接触结构(9,91)以用于电接触半导体本体(14),所述接触结构分别具有体积区域(12)和表面接合区域(13),其中表面接合区域由与体积区域(12)的材料不同的材料形成。此外,提出一种用于制造这种半导体本体(14)和带有这种半导体本体(14)的器件的方法。 |
申请公布号 |
CN102934244A |
申请公布日期 |
2013.02.13 |
申请号 |
CN201180028669.6 |
申请日期 |
2011.06.08 |
申请人 |
欧司朗光电半导体有限公司 |
发明人 |
赫贝特·布伦纳;帕特里克·宁斯 |
分类号 |
H01L33/62(2006.01)I;H05K3/32(2006.01)I;H01L33/38(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/62(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
张春水;田军锋 |
主权项 |
发射辐射的半导体本体(14),带有:‑外延的半导体层序列(3),所述外延的半导体层序列带有适合产生电磁辐射的有源区(4),‑承载层(1),所述承载层设置成机械地稳固所述外延的半导体层序列(3),和‑接触结构(9,91),所述接触结构用于电接触所述半导体本体(14),所述接触结构分别具有体积区域(12)和表面接合区域(13),其中所述表面接合区域(13)由与所述体积区域(12)的材料不同的材料形成。 |
地址 |
德国雷根斯堡 |