在铜表面上选择性钴沉积

摘要

本发明之实施例提出选择性形成钴层至露出电介质表面上之铜表面的工艺。在一实施例中，提出覆盖基板上之铜表面的方法，其包括在处理腔室内暴露基板的污染铜表面至还原剂，同时形成金属铜表面、在气相沉积工艺期间，使基板接触钴前驱物气体而选择性形成钴覆盖层至金属铜表面上，同时留下基板上露出的电介质表面、以及沉积介电阻障层至钴覆盖层和电介质表面上。在另一实施例中，沉积-处理循环包括进行气相沉积工艺和随后的后处理工艺，沉积-处理循环可反复进行而沉积多个钴覆盖层。

主权项

一种覆盖基板上的铜表面的方法，该方法包含：将基板放到处理腔室内，其中该基板包含遭污染的铜表面和电介质表面；在预处理工艺期间，使该遭污染的铜表面接触还原剂，同时形成金属铜表面；在气相沉积工艺期间，使该基板接触钴前驱物气体而选择性在该金属铜表面上形成钴覆盖层，同时留下露出的该电介质表面；以及在该钴覆盖层和该电介质表面上沉积介电阻障层。