| 发明名称 | 一种纳米线忆阻器及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种纳米线忆阻器及其制作方法。该忆阻器器件包括：上电极；下电极；以及位于所述上电极与所述下电极之间的记忆存储层。该忆阻器器件的制作方法包括：提供一绝缘衬底；在该绝缘衬底上形成下电极；在所述下电极上合成纳米线作为记忆存储层；以及在所述纳米线记忆存储层上形成上电极。所述记忆存储层由单根纳米线构成，或者由纳米线阵列构成。本发明所公开的纳米线忆阻器器件尺寸小，能够实现更大的集成，并且该纳米线忆阻器器件结构和制备工艺简单。 | ||
| 申请公布号 | CN102931344A | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
| 申请号 | CN201110230870.4 | 申请日期 | 2011.08.12 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘明;李颖弢;龙世兵;刘琦;吕杭炳 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种纳米线忆阻器，其特征在于，包括：上电极；下电极；以及位于所述上电极与所述下电极之间的记忆存储层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||