发明名称 第一镜样品辐照支架与辐照方法
摘要 本发明属于材料与高温等离子体相互作用及高温等离子体诊断研究领域,具体涉及一种高真空和强磁场环境中第一镜样品辐照支架与辐照方法。目的是方便温度控制和更换不同材料样品,且不破坏装置真空条件。该辐照支架包括两个平行摆放的样品架,在一个样品架的内部置有陶瓷加热片,在陶瓷加热片上方置有温度传感器A和样品A,在样品A上方压有样品压板A;在另一个样品架的内部置有样品B和温度传感器B,在样品B上方压有样品压板B;所述陶瓷加热片、温度传感器A、温度传感器B的电源线与信号线与外部电源和显示器相连。该辐照支架便于同一等离子体放电情况下不同样品条件的实验比较,且避免了220V交流电源对等离子体放电的影响。
申请公布号 CN102222528B 申请公布日期 2013.02.13
申请号 CN201110089451.3 申请日期 2011.04.11
申请人 核工业西南物理研究院 发明人 周艳;洪文玉;刘泽田;焦一鸣
分类号 G21B1/11(2006.01)I;G21B1/23(2006.01)I;G01T1/02(2006.01)I 主分类号 G21B1/11(2006.01)I
代理机构 核工业专利中心 11007 代理人 高尚梅
主权项 第一镜样品辐照支架,其特征在于:包括两个平行摆放的样品架,在一个样品架的内部置有陶瓷加热片(8),在陶瓷加热片(8)上方置有温度传感器A(7)和样品A(6),所述样品A(6)与陶瓷加热片(8)接触并通过陶瓷加热片(8)加热;在样品A(6)上方压有样品压板A(4);在另一个样品架的内部置有样品B(10)和温度传感器B(11),温度传感器B(11)用于测量样品B(10)的温度,在样品B(10)上方压有样品压板B(5);所述陶瓷加热片(8)、温度传感器A(7)、温度传感器B(11)的电源线与信号线与外部电源和显示器相连;所述陶瓷加热片(8)通过控制加在其上的直流电压大小来得到不同的温度,温度控制范围在20‑250℃。
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