发明名称 |
多晶硅还原炉 |
摘要 |
本发明公开了一种多晶硅还原炉,包括:底盘和炉体,所述炉体连接在所述底盘上且在所述炉体与所述底盘之间限定出反应腔室;三十对电极,所述三十对电极设在所述底盘上且分别分布在第一至第六圈上,所述第一至第六圈为以所述底盘中心为中心且由内向外依次增大的六个同心正五边形;进气系统,所述进气系统包括设在所述底盘中部的多个喷嘴;和排气系统,所述排气系统包括多个排气口,所述排气口设在所述底盘上且位于所述第五圈与所述底盘的之间。根据本发明实施例的多晶硅还原炉,可以合理利用热能,同时也可以避免炉体内侧壁带走过多热量,可以降低热量损耗。 |
申请公布号 |
CN102923710A |
申请公布日期 |
2013.02.13 |
申请号 |
CN201210468416.7 |
申请日期 |
2012.11.19 |
申请人 |
中国恩菲工程技术有限公司 |
发明人 |
严大洲;肖荣晖;毋克力;汤传斌;汪绍芬;姚心 |
分类号 |
C01B33/035(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/035(2006.01)I |
代理机构 |
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 |
代理人 |
宋合成 |
主权项 |
一种多晶硅还原炉,其特征在于,包括:底盘和炉体,所述炉体连接在所述底盘上且在所述炉体与所述底盘之间限定出反应腔室;三十对电极,所述三十对电极设在所述底盘上且分别分布在第一至第六圈上,所述第一至第六圈为以所述底盘中心为中心且由内向外依次增大的六个同心正五边形;进气系统,所述进气系统包括设在所述底盘中部的多个喷嘴;和排气系统,所述排气系统包括多个排气口,所述排气口设在所述底盘上且位于所述第五圈与所述底盘的外周沿之间。 |
地址 |
100038 北京市海淀区复兴路12号 |