发明名称 静电放电保护装置之制造方法
摘要 本发明系有关于一种静电放电保护装置之制造方法,其步骤系提供提供一N型井于一P型井之一侧;之后,形成一第一P型掺杂区于N型井中,并位于N型井之上方;再形成一第一N型掺杂区于N型井与P型井之间,并位于两者之上方;接下来形成一第二N型掺杂区于第一N型掺杂区之一侧,且位于第一P型之相对侧;再来形成一遮蔽层于P型井之上方,并位于第一N型掺杂区与第二N型掺杂区之间,以遮蔽第一N型掺杂区与第二N型掺杂区产生之寄生区域;接着形成于一氧化层遮蔽层之上方;之后,形成一导体层于氧化层之上方。如此,可避免产生寄生的掺杂区,进而避免静电放电保护装置损坏。
申请公布号 TWI385785 申请公布日期 2013.02.11
申请号 TW097151604 申请日期 2008.12.31
申请人 矽创电子股份有限公司 发明人 黄致远
分类号 H01L27/04 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人 蔡秀玫 新北市土城区金城路2段211号4楼A1室
主权项
地址 新竹县竹北市台元街20号6楼之2 TW 6F-2, NO.20, TAI YUEN ST., JHUPEI CITY 302, HSINCHU COUNTY, TAIWAN
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