发明名称 | 静电放电保护装置之制造方法 | ||
摘要 | 本发明系有关于一种静电放电保护装置之制造方法,其步骤系提供提供一N型井于一P型井之一侧;之后,形成一第一P型掺杂区于N型井中,并位于N型井之上方;再形成一第一N型掺杂区于N型井与P型井之间,并位于两者之上方;接下来形成一第二N型掺杂区于第一N型掺杂区之一侧,且位于第一P型之相对侧;再来形成一遮蔽层于P型井之上方,并位于第一N型掺杂区与第二N型掺杂区之间,以遮蔽第一N型掺杂区与第二N型掺杂区产生之寄生区域;接着形成于一氧化层遮蔽层之上方;之后,形成一导体层于氧化层之上方。如此,可避免产生寄生的掺杂区,进而避免静电放电保护装置损坏。 | ||
申请公布号 | TWI385785 | 申请公布日期 | 2013.02.11 |
申请号 | TW097151604 | 申请日期 | 2008.12.31 |
申请人 | 矽创电子股份有限公司 | 发明人 | 黄致远 |
分类号 | H01L27/04 | 主分类号 | H01L27/04 |
代理机构 | 代理人 | 蔡秀玫 新北市土城区金城路2段211号4楼A1室 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹县竹北市台元街20号6楼之2 TW 6F-2, NO.20, TAI YUEN ST., JHUPEI CITY 302, HSINCHU COUNTY, TAIWAN |