非挥发性半导体储存装置及其制造方法

摘要

本发明揭示一种非挥发性半导体储存装置，其具有含有串联连接的复数个电可重写记忆体单元之复数个记忆体串。该等记忆体串之每一者包括：在垂直于一基板之方向上延伸的一记忆体柱形半导体；接触该记忆体柱形半导体的一穿隧绝缘层；接触该穿隧绝缘层并累积电荷的一电荷累积层；接触该电荷累积层的一区块绝缘层；以及接触该区块绝缘层的复数个记忆体导电层。该电荷累积层之下部分系由该穿隧绝缘层以及该区块绝缘层覆盖。