| 摘要 |
概略来说，本发明之实施例藉由提供一改良之处理室粒子源辨识机构而满足了需求。处理室粒子源原地(in－situ)辨识方法与设备可大幅地缩短辨识处理室之粒子源所花费的时间，可改善生产系统之处理室产率。此方法与设备亦可用以于处理室工程发展阶段中测试元件的粒子效能。在一实施例中，半导体处理室之处理室粒子原地监测组件包含至少一个雷射光源，这至少一个雷射光源可于处理室中的处理室容积内放射出雷射光线。处理室粒子原地监测组件包含至少一个雷射光收集器，这至少一个雷射光收集器可收集从至少一个雷射光源放射出的雷射光线。处理室粒子监测组件亦包含一位于处理室外部的分析器，其分析表示着至少一个雷射光收集器所收集之雷射光线的信号，以提供出处理室粒子资讯。 |
