发明名称 掺杂Al(x%)Sc之N型ZnO导电薄膜及其制程
摘要 本发明系在揭露一种崭新的透光性导电陶瓷薄膜材料(N型ZnO:AlSc)及其制程。在真空及适当控制气氛下,氧化锌和含铝、钪合金两种靶材分别在射频(Radio frequency,RF)与直流电(Direct current DC)调控功率下,在玻璃基板上进行混合溅镀,可以获得N-型ZnO:Al(x)Sc单层薄膜,厚度可控制在100-200 nm。亦可溅镀制作成ZnO:Al(x%)Sc/ZnO:Al或ZnO:Al/ZnO:Al(x%)Sc等双层膜,甚至经重复溅镀而得多层膜。此类薄膜无论是在透光性(可见光范围300~800nm穿透率高达85%以上以及400~600nm有低反射)与导电性(电阻率1.76~0.6 Ω-cm)均具良好特性。就耐腐蚀性而言,此薄膜优于单纯之AZO薄膜,亦比传统铟锡氧化物薄膜更具抗蚀性。此类薄膜在平面显示器与薄膜太阳能电池的制造极具应用价值。
申请公布号 TWI385258 申请公布日期 2013.02.11
申请号 TW095146801 申请日期 2006.12.13
申请人 国立中央大学 桃园县中坜市中大路300号 发明人 林景崎;彭坤增;李胜隆;彭彦钧
分类号 C23C14/06 主分类号 C23C14/06
代理机构 代理人 蔡秀玫 新北市土城区金城路2段211号4楼A1室
主权项
地址 桃园县中坜市中大路300号