发明名称 气相成长装置及气相成长方法
摘要 一种气相成长装置,其系于反应炉内包含:配设有复数之气体喷出孔之簇射头、及与上述簇射头相对向而设置且配设有复数之板孔之簇射板,自上述簇射头起,通过该簇射头之气体喷出孔及簇射板之板孔而向收纳有被处理基板之成长室内供给气体,以于被处理基板上成膜,于较基板保持构件之经基板加热器所加热之区域更外侧,且与上述基板保持构件之对向面,在上述簇射头上靠近配置有簇射板之面上,形成有低导热区域。由此,提供一种藉由防止簇射头之气体喷出孔堵塞而抑制所供给之反应气体流产生不均,从而可确保被处理基板上之膜均匀性及膜再现性的气相成长装置及气相成长方法。
申请公布号 TWI385274 申请公布日期 2013.02.11
申请号 TW099109180 申请日期 2010.03.26
申请人 夏普股份有限公司 日本 发明人 冈田俊范;采山和弘;坂上英和;坪井俊树
分类号 C23C16/54;C23C16/455 主分类号 C23C16/54
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼;林宗宏 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 日本