Halbleiterbauelement mit Metallgateelektrodenstrukturen und Nicht-FET's mit unterschiedlicher Höhe durch frühe Anpassung einer Gatestapeltopographie

摘要

Es wird eine Gatehöhenskalierung in komplexen Halbleiterbauelementen vorgenommen, ohne dass eine Neugestaltung von nicht-Transistorbauelementen erforderlich ist. Dazu wird das Halbleiterelektrodenmaterial in seiner Dicke über aktiven Gebieten und Isolationsgebieten, die die nicht-Transistorbauelemente erhalten, angepasst. Daraufhin wird die eigentliche Strukturierung des angepassten Gateschichtstapels ausgeführt, so dass Gateelektrodenstrukturen mit einer gewünschten Höhe zur Verbesserung insbesondere der Wechselstromeigenschaften erhalten werden, ohne dass eine Umgestaltung der nicht-Transistorbauelemente erforderlich ist.