一种SRAM噪声容限测量方法

摘要

本发明属于集成电路领域，特别涉及SRAM噪声容限测量领域。公开了一种SRAM噪声容限测量方法，静态噪声容限SNM(StaticNoiseMargin)是指存储单元所能承受的最大直流噪声信号的幅值，若超过这个值，存储结点的状态会发生错误翻转，它是衡量存储单元抗干扰能力的一个重要参数，本发明在分析传统噪声容限测量结果图的基础上，探寻如何准确直接快速的得到噪声容限，提出了一种新型噪声容限测量法，此方法能够准确直接得出噪声容限值并可以在实际测量工作中作为标准来推广，从而提高工作效率。

主权项

1.一种SRAM噪声容限测量方法，其特征在于：一、首先两种坐标系下的SRAM中的反相器转移特性交叠而成的蝶形图，其中F1曲线为SRAM中通过仿真反相器而得出的特征曲线，F2’为反相器特征曲线关于y=x轴的对称曲线，两者组成蝶形曲线构成蝶形图；二、将x-y坐标系顺时针转到90度，变成u-v坐标系，噪声容限为最大正方形的边长值；三、在u-v坐标下，F1曲线的v值减去F2’曲线对应的v值，得到曲线，从而curve A曲线中，|v|max为最大正方形的对角线值；四、用u-v来表示出x-y坐标系，由于将x-y坐标系顺时针转到90度，从而可以得出：五、同时将此x，y值代入反相器特性曲线y=F1(x)，y=F2(x)中得出u-v坐标系下反相器转移特性表达式：六、最后通过此表达式将噪声容限测量构建电路仿真图，从而通过对电路的构建与仿真准确得出噪声容限。