发明名称 |
一种硅基薄膜太阳电池及其制备方法 |
摘要 |
一种硅基薄膜电池太阳电池,以具有种子层结构的n型纳米晶硅氧材料作为背反射电极,n型纳米晶硅氧材料的结构式为nc-SiOx:H,厚度为20-100nm,硅基薄膜太阳电池的类型为p/i/n型单结或多结;该硅基薄膜电池太阳电池的制备方法是:沉积完薄膜电池后,通过等离子处理电池的n型非晶硅层后制备n型nc-Si:H种子层,然后制备n型nc-SiOx:H材料。本发明的优点是:n型nc-Si:H种子层的加入可以提高材料的晶化率和电导率,减小电池串联电阻,降低制备难度;该材料用于硅基薄膜太阳电池背反射电极具有与ZnO相近的背反射效果,不仅提高了电池的入射光利用率,而且可降低硅基薄膜太阳电池制备成本。 |
申请公布号 |
CN102916060A |
申请公布日期 |
2013.02.06 |
申请号 |
CN201210435963.5 |
申请日期 |
2012.11.05 |
申请人 |
南开大学 |
发明人 |
任慧志;张晓丹;赵颖;侯国付;许盛之 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/076(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 |
代理人 |
侯力 |
主权项 |
一种硅基薄膜电池太阳电池,其特征在于:以具有种子层结构的n型纳米晶硅氧材料作为背反射电极,种子层厚度为1‑30nm,n型纳米晶硅氧材料的结构式为nc‑SiOx:H,厚度为20‑100nm,硅基薄膜太阳电池的类型为p/i/n型单结或多结,单结硅基薄膜太阳电池的结构为:Glass/TCO/p/i/n(a‑Si:H)/n(nc‑Si:H)/n(nc‑SiOx:H)/Al,多结太阳电池的结构为:Glass/TCO/p/i/n/p/i/n…/n(a‑Si:H)/n(nc‑Si:H)/n(nc‑SiOx:H)/Al或Glass/TCO/p/i/n/p/i/n…/n(a‑Si:H)/n(nc‑Si:H)/n(nc‑SiOx:H)/Ag/Al。 |
地址 |
300071 天津市南开区卫津路94号 |