| 发明名称 | 浅沟道隔离件中的高k介电衬里 | ||
| 摘要 | 一种电路结构包括了具有顶面的半导体衬底。介电材料从该顶面延伸到半导体衬底中。高k介电层由高k介电材料形成，其中，该高k介电层包括在介电材料的侧壁上的第一部分和在介电材料下面的第二部分。本发明还公开了一种浅沟道隔离件中的高k介电衬里。 | ||
| 申请公布号 | CN102916020A | 申请公布日期 | 2013.02.06 |
| 申请号 | CN201210011643.7 | 申请日期 | 2012.01.12 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈思莹;王子睿;刘人诚;杨敦年 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种器件，包括：半导体衬底，包括顶面；介电材料，从所述顶面延伸到所述半导体衬底中；以及高k介电层，包括高k介电材料，其中，所述高k介电层包括在所述介电材料侧壁上的第一部分和在所述介电材料下面的第二部分。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||