| 发明名称 |
于基材上形成阻障兼种晶层的电子构件 |
| 摘要 |
本发明之目的是提供一种藉由较简易之方法形成ULSI微细铜配线之技术。;本发明之电子构件是在基材上形成作为ULSI微细铜配线之阻障兼种晶层使用之钨与贵金属的合金薄膜，其中，该合金薄膜为钨在60原子%以上，贵金属在5原子%以上40原子%以下之组成。作为前述贵金属者是以选自铂、金、银、钯中1种或是2种以上之金属为佳。 |
| 申请公布号 |
TWI384605 |
申请公布日期 |
2013.02.01 |
| 申请号 |
TW098105917 |
申请日期 |
2009.02.25 |
| 申请人 |
日鑛金属股份有限公司 日本 |
发明人 |
关口淳之辅;伊森彻 |
| 分类号 |
H01L23/52;C23C18/16;H01L21/768 |
主分类号 |
H01L23/52 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼 |
| 主权项 |
|
| 地址 |
日本 |
