发明名称 金属烷氧化合物、薄膜形成用原料及薄膜之制造方法
摘要 本发明系具有于气化步骤之薄膜之制造方法中,对于对薄膜供给钛、锆及铪之前驱物赋予适合作为薄膜形成用原料、尤其是适合作为CVD用原料之因热及/或氧化引起之分解特性、热稳定性、蒸气压等性质。本发明提供一种由下述通式(1)所表示之金属烷氧化合物:;(1);(式中,R1~R8分别独立表示氢原子或甲基,M表示钛、锆或铪原子)。
申请公布号 TWI383990 申请公布日期 2013.02.01
申请号 TW096128292 申请日期 2007.08.01
申请人 艾迪科股份有限公司 日本 发明人 和田仙二;阿部彻司;樱井淳;东野贵志;藤本龙作;清水雅子
分类号 C07F7/00;C07F7/28;C23C16/40 主分类号 C07F7/00
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 日本
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