发明名称 |
金属烷氧化合物、薄膜形成用原料及薄膜之制造方法 |
摘要 |
本发明系具有于气化步骤之薄膜之制造方法中,对于对薄膜供给钛、锆及铪之前驱物赋予适合作为薄膜形成用原料、尤其是适合作为CVD用原料之因热及/或氧化引起之分解特性、热稳定性、蒸气压等性质。本发明提供一种由下述通式(1)所表示之金属烷氧化合物:;(1);(式中,R1~R8分别独立表示氢原子或甲基,M表示钛、锆或铪原子)。 |
申请公布号 |
TWI383990 |
申请公布日期 |
2013.02.01 |
申请号 |
TW096128292 |
申请日期 |
2007.08.01 |
申请人 |
艾迪科股份有限公司 日本 |
发明人 |
和田仙二;阿部彻司;樱井淳;东野贵志;藤本龙作;清水雅子 |
分类号 |
C07F7/00;C07F7/28;C23C16/40 |
主分类号 |
C07F7/00 |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
主权项 |
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地址 |
日本 |