铜钝化ＣＭＰ组合物及方法

摘要

本发明提供化学-机械抛光(CMP)方法与抛光含铜基材之组合物。本发明方法需要本发明CMP组合物研磨含铜基材之表面，较佳系在氧化剂(例如，过氧化氢)之存在下进行。本发明之CMP组合物包含一微粒化研磨剂、一铜错合剂、一包含酸性OH基团及另一与酸性OH基团呈1，6关系的氧取代基之铜钝化剂与一水性载体。本发明较佳组合物包含0.01至1重量%之微粒化研磨剂、0.1至1重量%之铜错合剂及10至1000ppm之铜钝化剂。