| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de transfert d'une couche semi-conductrice monocristalline (3) sur un substrat support (1), comprenant les étapes suivantes : (a) implantation d'espèces dans un substrat (31) donneur ; (b) collage du substrat donneur (31) audit substrat support (1) ; (c) fracture du substrat donneur (31) pour transférer la couche (3) sur le substrat support (1), et des étapes dans lesquelles : • avant l'étape (b) de collage, on rend amorphe une portion (34) de la couche monocristalline (3) à transférer, sans désorganiser le réseau cristallin d'une seconde portion (35) de ladite couche (3), lesdites portions (34, 35) étant respectivement une portion superficielle et une portion enterrée de la couche monocristalline (3) ; • on recristallise ladite portion amorphe (34) à une température inférieure à 500°C, le réseau cristallin de ladite seconde portion (35) servant de germe à la recristallisation.</p> |
