一种晶体生长炉的气体导流装置以及晶体生长方法

摘要

本发明提供了一种晶体生长炉的气体导流装置，它包括保护气体进气管、石墨顶板和顶板伸缩套管；保护气体进气管位于晶体炉，垂直贯穿晶体炉顶部和石墨顶板，止于石墨顶板底面；石墨顶板通过顶板伸缩套管滑动连接在保护气体进气管上；石墨顶板由盖板和顶板主体组成，盖板的宽度大于晶体炉内坩埚，顶板主体的宽度小于坩埚的宽度。本发明还提供了一种晶体生长方法。利用本发明气体导流装置以及基于该装置的晶体生长方法，可以有效排除晶体生长过程中的杂质气体，使得晶体中碳氧杂质含量降低一倍，显著提高硅晶体质量，而且制备得到的后续光伏电池的效率总体上提高了0.14%，效率分布更均匀，有效提高了多晶硅锭的良率及电池转换效率。

主权项

一种晶体生长炉的气体导流装置，其特征在于：它包括保护气体进气管（1）、石墨顶板（2）和顶板伸缩套管（3）；保护气体进气管（1）位于晶体炉中央，垂直贯穿晶体炉顶部和石墨顶板（2），止于石墨顶板（2）底面；石墨顶板（2）通过顶板伸缩套管（3）滑动连接在保护气体进气管（1）上；石墨顶板（2）由盖板（13）和顶板主体（14）组成，盖板（13）的宽度大于晶体炉内坩埚（8），顶板主体（14）的宽度小于坩埚（8）的宽度。