单晶硅晶片的制造方法以及单晶硅晶片的评价方法

摘要

本发明提供一种单晶硅晶片的制造方法，其特征在于至少包含以下工序：准备单晶硅晶棒的工序；将该单晶硅晶棒切片而制造出多片切片基板的工序；对该多片切片基板进行抛光、蚀刻、研磨之中的至少1种而加工成多片基板的加工工序；从该多片基板抽取至少1片的工序；使用原子力显微镜测定在该抽取工序中所抽取的基板的表面粗糙度，求取对应波长20纳米～50纳米的频带的振幅即强度，且判定是否合格的工序；若所述判定为合格时送至下个工序，若不合格时实行再加工的工序。由此，能提供单晶硅晶片及其制造方法，即便栅极氧化膜的厚度薄至数纳米时，氧化膜耐压也无劣化；提供一种评价方法，相较于时间相依介电崩溃法等，能容易评价氧化膜耐压无劣化。

主权项

一种单晶硅晶片的制造方法，其特征在于，至少包含以下工序：准备单晶硅晶棒的工序；将该单晶硅晶棒切片而制造出多片切片基板的工序；对该多片切片基板进行抛光、蚀刻、研磨之中的至少1种而加工成多片基板的加工工序；从该多片基板抽取至少1片的工序；使用原子力显微镜来测定在该抽取工序中所抽取的基板的表面粗糙度，并求取对应波长20纳米～50纳米的频带的振幅即强度，且判定是否合格的工序；以及若所述判定为合格时送至下个工序，若不合格时实行再加工的工序，所述是否合格的判定，是将使用原子力显微镜来测定所述表面粗糙度时的测定值的波形进行傅立叶变换，并将频率设为X(nm‑1)、将所述振幅即强度设为y(nm2)时，将满足y＜0.00096e‑15X的关系的情况判定为合格，未满足的情况判定为不合格。