| 主权项 |
1.一种形成及转移导电性元件进入可变形介质材料之方法,包含下列步骤:提供包含一可变形介质材料之片,造模,铸件,或复合结构及一导电性,半导体性,或电阻性材料片,而该导电性,半导体性,或电阻性材料是与该介质材料直接接触;及打孔或冲锻该复层结构以自该导电性材料片形成及转移材料蕊块进入该介质材料。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该介质材料上具有金属化电路图样且该转移蕊块与金属化电路图样接触。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中多个蕊块受到转移。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中该导电性,半导体性,或电阻性材料片是多孔质的以使多孔蕊块受到转移。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中该导电性,半导体性,或电阻性材料片是由一材料所组成,而该材料之上包盖着第二材料以使包盖蕊块受到转移。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中该转移蕊块是放置于该介质材料之内以延伸至该介质材料之至少一边缘。7.根据申请专利范围第1项之方法,其中该转移蕊块具有压印于其之至少一表面的凸出或浮起图样。8.根据申请专利范围第1项之方法,更进一步包含使该复层基质与用以打孔或冲锻之装置彼此校准的步骤。9.根据申请专利范围第1项之方法,其中该介质材料是自包含热塑材料,液晶聚合物,和未硬化陶瓷材料之组群中挑选而得。10.根据申请专利范围第1项之方法,其中该可变型介质材料之片,造模,铸件,或复合结构具有至少一个凿孔。11.根据申请专利范围第1项之方法,其中该转移蕊块是电容器。12.根据申请专利范围第1项之方法,其中该转移蕊块是电阻器。13.根据申请专利范围第1项之方法,其中该转移蕊块是电感器。14.根据申请专利范围第1项之方法,其中该转移蕊块是半导体装置。图1是根据本发明之复层基质和具有开放模之装置的部份横剖面图。图2是压力衬垫与复层结构直接接触之装置的部份横剖面图。图3是展示形成及转移蕊块之装置的部份横剖面图。图4是展示形成及转移蕊块及展示收回之打孔器之装置的部份横剖面图。图5A和5B是展示打孔面和转移蕊块的透视图。图6是根据本发明之具有实心模板之打孔复层结构的部份横剖面图。图7是展示形成及转移蕊块之装置的部份横剖面图。图8是展示形成及转移蕊块及展示收回之打孔器之装置的部份横剖面图。图9是类似于图1之部份横剖面图,而其展示本发明之另一实例。图10是类似于图2之部份横剖面图,而其展示本发明之另一实例。图11是类似于图3之部份横剖面图,而其展示本发明之另一实例。图12是类似于图4之部份横剖面图,而其展示本发明之另一实例。图13是展示另一实例之装置和复层基质的部份剖视图。图14展示本发明另二实例之复层基质的顶及边缘透视图。图15是类似于图1之部份横剖面图,而其展示本发明之另一实例。图16是类似于图3之部份横剖面图,而其展示本发明之另一实例。图17是类似于图2之部份横剖面图,而其展示本发明之另一实例。图18是类似于图3之部份横剖面图,而其展示本发明之另一实例。图19是类似于图4之部份横剖面图,而其展示本发明之另一实例。图20A和20B是展示本发明另一实例之基质和转移蕊块的顶视图和部份横剖面图,其中该转移蕊块是电容器。图21A和21B是展示本发明另一实例之基质和转移蕊块的顶视图和部份横剖面图,其中该转移蕊块是电容器。图22A和22B是展示本发明另一实例之基质和转移蕊块 |
