发明名称 一种平面压接式的二极管封装用引线框架
摘要 本实用新型公开的一种平面压接式的二极管器件用引线框架,包括上、下引线框架,在所述上引线框架上冲切有若干个上引线,每一上引线的末端具有一向上突出的上被封装部,所述上被封装部具有一向下突出的与芯片焊接的焊接凸台;在所述下引线框架上冲切有若干个下引线,每一下引线的末端具有一向上突出的下被封装部,下被封装部的上表面与所述芯片焊接。本实用新型的平面压接式的二极管器件用引线框架中上、下引线与芯片焊接并被塑料封装后能够适合压接方式连接,其压接部压接后压接电阻小,热阻小,使用寿命长。
申请公布号 CN202712171U 申请公布日期 2013.01.30
申请号 CN201220349686.1 申请日期 2012.07.18
申请人 上海同福矽晶有限公司 发明人 陈建中;丁嗣彬;潘文正;李伟亮
分类号 H01L23/495(2006.01)I 主分类号 H01L23/495(2006.01)I
代理机构 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 代理人 吕伴
主权项 一种平面压接式的二极管器件用引线框架,其特征在于,包括上、下引线框架,在所述上引线框架上冲切有若干个上引线,每一上引线的末端具有一向上突出的上被封装部,所述上被封装部具有一向下突出的与芯片焊接的焊接凸台;在所述下引线框架上冲切有若干个下引线,每一下引线的末端具有一向上突出的下被封装部,下被封装部的上表面与所述芯片焊接。
地址 201302 上海市浦东新区老港镇化工工业园区内