发明名称 MANUFACTURE OF HIGH-BREAKDOWN-STRENGTH TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPH07130997(A) 申请公布日期 1995.05.19
申请号 JP19930189115 申请日期 1993.06.30
申请人 SONY CORP 发明人 NISHIMURA HIDEKUNI
分类号 H01L21/336;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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