一种用于超导器件的超导多层膜及其制备方法

摘要

本发明涉及一种用于超导器件的超导多层膜，其包括沉积在衬底上的多层膜，该多层膜的横截面为闭合的正N边形环，其中，N为大于或等于3的正整数。所述的正N边形环的内环边长为10～100000nm，外环边长为20～200000nm，环宽为10～100000nm。按照势垒层数的不同分类，该闭合的超导环状多层膜包括单势垒型和双势垒型，其可以通过微加工方法来制备。本发明的闭合超导环状多层膜在保持超导多层膜原有特征和性能的情况下，还具有较小的结电容和功耗等优点，能够满足大规模产品化的要求，能够广泛应用于以超导环状多层膜为核心的各种器件。

主权项

一种用于超导器件的超导多层膜，包括沉积在衬底上的多层膜，其特征在于，所述多层膜层叠方向的横截面为闭合的正N边形环，其中，N为大于或等于3的正整数。