一种GaN基LED管芯P型GaN层的结构

摘要

本发明提供了一种GaN基LED管芯P型GaN层的结构，该GaN基LED管芯P型GaN层的结构，是在P型GaN层上设有孔洞，孔洞的底部距离LED管芯的量子阱有源区的距离为10纳米--100纳米，孔洞内填有金属颗粒，孔洞的洞口处填充有封堵金属颗粒的透明介质膜。本发明是在P型GaN层上带有纳米孔洞，使孔洞里面具有一个个的金属颗粒，在纳米尺度范围植入了金属颗粒-有源层介质异质结构，形成了纳米金属颗粒与量子阱有源层耦合的介质异质结构，SPP与激子的耦合提高了GaN基LED的发光效率。

主权项

一种GaN基LED管芯P型GaN层的结构，其特征是：该GaN基LED管芯P型GaN层的结构，是在P型GaN层上设有孔洞，孔洞的底部距离LED管芯的量子阱有源区的距离为10纳米‑‑100纳米，孔洞内填有金属颗粒，孔洞的洞口处填充有封堵金属颗粒的透明介质膜。