| 主权项 |
1.一种金属矽化物的制造方法,包括:提供一基底,该基底上包括一导线;形成一氧化层,覆盖住该导线;形成一间隙壁,在该导线之一侧壁上,覆盖住该氧化层;去除部分的该氧化层,以曝露出该导线之一上表面,以及部分的该侧壁;形成一金属层,覆盖住曝露的该导线,包括该导线的上表面及该侧壁的曝露部分;以及将该金属层转换成一金属矽化物层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氧化层又包括一热氧化层及在该热氧化层上的一沈积氧化层。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该热氧化层的厚度约介于30至300埃()左右。4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该沈积氧化层的厚度约介于50至1000埃()左右。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该导线至少包括一矽材料层,选自于复晶矽层,单晶矽层,或非晶矽层。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该金属层系选自耐熔材料钛,钴,钯,铂,以及镍其中之一。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该金属矽化物层之材料,包括矽化钛,矽化钴,矽化钯,矽化铂,以及矽化镍。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中将该金属层转换成该金属矽化物层,更包括了下列步骤:实施一热制程,以产生该金属层及该导线之间的矽化反应;以及去除未参与矽化反应的该金属层。9.一种金属矽化物的制造方法,包括:提供表面上包括一闸极的一基底;形成一氧化层,覆盖住该基底及该闸极;形成一间隙壁,覆盖住该闸极之一侧壁上的该氧化层;去除部分的该氧化层,以曝露出该基底,该闸极的一上表面及该侧壁的一部分;以该闸极及该间隙壁为罩幕,在该基底中形成一源/汲极区;形成一金属层,以覆盖该源/汲极,该闸极之该上表面,以及曝露之该侧壁;以及将该金属层转换成一金属矽化物层。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该氧化层包括一热氧化层及一沈积氧化层。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该热氧化层之厚度介于30至300埃()左右。12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该沈积氧化层之厚度约介于50至1000()埃左右。13.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该金属层系选自耐熔材料钛,钴,钯,铂,以及镍其中之一。14.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该金属矽化物层之材料,包括矽化钛,矽化钴,矽化钯,矽化铂,以及矽化镍。15.如申请专利范围第9项所述之方法,其中将该金属层转换成该金属矽化物层,更包括了下列步骤:实施一热制程,以产生该金属层及该闸极之间的矽化反应;以及去除未参与矽化反应的该金属层。16.一种金属矽化物的制造方法,包括:提供一基底,该基底上包括一导线;形成一氧化层,覆盖住该导线;形成一间隙壁,在该导线之一侧壁上,覆盖住该氧化层;去除部分的该氧化层,以曝露出该导线之一上表面,以及部分的该侧壁;形成一金属层,覆盖住曝露的该导线,包括该导线的上表面及该侧壁的曝露部分,以在该金属层下方,该氧化层上方,该导线及该间隙层之间,形成一空气间隙;以及将该金属层转换成一金属矽化物层。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该氧化层又包括一热氧化层及在该热氧化层上的一沈积氧化层。18.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该导线至少包括一矽材料层,选自于复晶矽层,单晶矽层,或非晶矽层。19.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该金属层系选自耐熔材料钛,钴,钯,铂,以及镍其中之一。20.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该金属矽化物层之材料,包括矽化钛,矽化钴,矽化钯,矽化铂,以及矽化镍。21.如申请专利范围第16项所述之方法,其中将该金属层转换成该金属矽化物层,更包括了下列步骤:实施一热制程,以产生该金属层及该导线之间的矽化反应;以及去除未参与矽化反应的该金属层。22.一种金属矽化物的制造方法,包括:提供表面上包括一闸极的一基底;形成一氧化层,覆盖住该基底及该闸极;形成一间隙壁,覆盖住该闸极之一侧壁上的该氧化层;去除部分的该氧化层,以曝露出该基底,该闸极的一上表面及该侧壁的一部分;以该闸极及该间隙壁为罩幕,在该基底中形成一源/汲极区;去除部分的该氧化层,以曝露出该导线之一上表面,以及部分的该侧壁;形成一金属层,覆盖住曝露的该导线,包括该导线的上表面及部分曝露的该侧壁,以在该金属层下方,该氧化层上方,该导线及该间隙层之间,形成一空气间隙;以及将该金属层转换成一金属矽化物层。23.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该金属层系选自耐熔材料钛,钴,钯,铂,以及镍其中之一。24.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该金属矽化物层之材料,包括矽化钛,矽化钴,矽化钯,矽化铂,以及矽化镍。25.如申请专利范围第22项所述之方法,其中将该金属层转换成该金属矽化物层,更包括了下列步骤:实施一热制程,以产生该金属层及该闸极之间的矽化反应;以及去除未参与矽化反应的该金属层。26.一种具有金属矽化物的导线结构,其中该导线具有一上表面及一侧壁,该导线结构包括:一间隙壁,围绕着该导线之该侧壁;一氧化层,覆盖该导线之该侧壁的下半部分,夹在该导线及该间隙壁之间;一金属矽化物层,覆盖住该导线之该上表面,并填满在该导线及该间隙壁之间,未被该氧化层填满之处。27.如申请专利第26项所述之导线结构,其中该金属矽化物包括矽化钛,矽化钴,矽化钯,矽化铂,以及矽化镍。28.如申请专利范围第26项所述之导线结构,其中该金属矽化物具有一内部细窄,两端宽的形状。29.一种具有金属矽化物的金氧半导体,包括:一闸极,在一基底上,且具有一上表面及一侧壁;一源/汲极区,在该基底中,该闸极之两侧形成;一间隙壁,围绕着该导线之该侧壁;一氧化层,覆盖该导线之该侧壁的下半部分,夹在该导线及该间隙壁之间;一金属矽化物层,覆盖住该导线之该上表面,并填满在该导线及该间隙壁之间,未被该氧化层填满之处。30.如申请专利第29项所述之金氧半导体,其中该金属矽化物包括矽化钛,矽化钴,矽化钯,矽化铂,以及矽化镍。31.如申请专利范围第29项所述之金氧半导体,其中该金属矽化物具有一内部细窄,两端宽的形状。32.一种具有金属矽化物的导线结构,其中该导线具有一上表面及一侧壁,该导线结构包括:一间隙壁,围绕着该导线之该侧壁;一氧化层,覆盖该导线之该侧壁的下半部分,夹在该导线及该间隙壁之间;一金属矽化物层,覆盖住该导线之该上表面,并填入该导线及该间隙壁之间;以及一空气间隙,在该金属矽化物层下方,该氧化层上方,该导线及该间隙壁之间。33.如申请专利第32项所述之导线结构,其中该金属矽化物包括矽化钛,矽化钴,矽化钯,矽化铂,以及矽化镍。34.如申请专利范围第32项所述之导线结构,其中该金属矽化物具有一内部细窄,两端宽的形状。35.一种具有金属矽化物的金氧半导体,包括:一闸极,在一基底上,且具有一上表面及一侧壁;一源/汲极区,在该基底中,该闸极之两侧形成;一间隙壁,围绕着该导线之该侧壁;一氧化层,覆盖该导线之该侧壁的下半部分,夹在该导线及该间隙壁之间;一金属矽化物层,覆盖住该导线之该上表面,并填入该导线及该间隙壁之间;以及一空气间隙,在该金属矽化物层下方,该氧化层上方,以及该闸极和该间隙壁之间。36.如申请专利第35项所述之金氧半导体,其中该金属矽化物包括矽化钛,矽化钴,矽化钯,矽化铂,以及矽化镍。37.如申请专利范围第35项所述之金氧半导体,其中该金属矽化物具有一内部细窄,两端宽的形状。图示简单说明:第一图A及第一图B系绘示出一种传统自行对准矽化物之制造流程及结构的剖面图。第二图A至第二图F系依照本发明之第一实施例中,一种自行对准矽化物之制造流程及结构的剖面图。第三图A至第三图C系依照本发明之第二实施例中,一种自行对准矽化物之制造流程及结构的剖面图。 |
