发明名称 | 一种改善太阳能电池表面扩散的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种改善太阳能电池表面扩散的方法,包括以下步骤:a:在750~850℃下,通入Ar气,对P型单晶硅片退火处理;b:将步骤a中退火处理的硅片氧化处理;c:将步骤b中生成的氧化层硅片进行磷扩散;d:将步骤c中扩散后的硅片通入大氮气和氧气进行处理;e:将步骤d处理后的硅片在750-850℃下,通入Ar气,进行退火处理。本发明通过在扩散工艺中引入Ar气对硅片进行退火处理,使硅片表面扩散均匀,提高太阳能电池的转换效率。与传统的扩散工艺相比,不改变原有扩散设备,只是改变了工艺,可控性强,可重复性强。同时,引入Ar气之后可以有效改善材料性能,在提高PN结连续性,工艺稳定性、重复性及生产适用性上都有所提高。 | ||
申请公布号 | CN102130211B | 申请公布日期 | 2013.01.23 |
申请号 | CN201010618577.0 | 申请日期 | 2010.12.31 |
申请人 | 上海联孚新能源科技有限公司 | 发明人 | 苏青峰;赖建明;张根发;罗军;王长君;李帅 |
分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 | 上海硕力知识产权代理事务所 31251 | 代理人 | 郭桂峰 |
主权项 | 一种改善太阳能电池表面扩散的方法,其特征在于:包括以下步骤:a:在750~850℃温度下,通入Ar气,对P型单晶硅片退火处理;b:将步骤a中退火处理后的硅片氧化处理;c:将步骤b中生成氧化层的硅片进行磷扩散;d:将步骤c中磷扩散后的硅片通入流量为20~35L/min的氮气和氧气进行处理;e:将步骤d中处理后的硅片在750‑850℃温度下,通入Ar气,进行退火处理。 | ||
地址 | 201201 上海市浦东新区王桥路1003号 |