不透射红外及可见光的GaN基紫外探测器面阵

摘要

一种不透射红外及可见光的GaN基紫外探测器面阵的制作方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层、n型掺杂层、i型有源层和p型掺杂层；在其两侧向下进行刻蚀，刻蚀到达n型掺杂层内；在其表面沉积氮化硅层；去除p型掺杂层表面的部分氮化硅层和n型掺杂层上的部分氮化硅层并制作n型欧姆接触金属层，在去除部分氮化硅层的p型掺杂层上制作p型欧姆接触金属层，形成基片；在基片的表面沉积一层二氧化硅层；在二氧化硅层的最上面光刻，腐蚀露出面阵四个边缘的n型欧姆接触金属层，腐蚀露出p型欧姆接触金属层；在面阵四个边缘露出的n型欧姆接触金属层和p型欧姆金属层引线孔内及部分二氧化硅层的表面制作加厚金属层；将衬底减薄、抛光，进行管芯分割，完成探测器面阵制作。

主权项

一种不透射红外及可见光的GaN基紫外探测器面阵的制作方法，包括：步骤1：在衬底上依次生长缓冲层、n型掺杂层、i型有源层和p型掺杂层，得到样品，该n型掺杂层、i型有源层和p型掺杂层为p‑i‑n单元；步骤2：在样品表面的两侧向下进行刻蚀，刻蚀到达n型掺杂层内，形成台面样品，该n型掺杂层为面阵上所有单元共用；步骤3：在台面样品的表面沉积氮化硅层；步骤4：采用刻蚀或腐蚀的方法，去除p型掺杂层表面的部分氮化硅层和n型掺杂层上的部分氮化硅层；步骤5：在去除部分氮化硅层的n型掺杂层上制作n型欧姆接触金属层，在去除部分氮化硅层的p型掺杂层上制作p型欧姆接触金属层，形成基片；步骤6：在基片的表面沉积一层二氧化硅层；步骤7：采用光刻法，在二氧化硅层的最上面光刻，腐蚀露出面阵四个边缘的n型欧姆接触金属层，腐蚀露出p型欧姆接触金属层，形成引线孔；步骤8：在面阵四个边缘露出的n型欧姆接触金属层和p型欧姆金属层引线孔内及部分二氧化硅层的表面制作加厚金属层，该加厚金属层的尺寸大于p‑i‑n单元的尺寸并与n型欧姆接金属层内侧边缘相交差；步骤9：将衬底减薄至90‑110微米、抛光，进行管芯分割，完成探测器面阵制作。