| 发明名称 | 半导体元件的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体元件的形成方法，包括：提供一基材；形成一虚设栅极(dummy gate)于该基材之上；形成一介电材料围绕该虚设栅极；移除该虚设栅极，以于该介电材料中形成一开口；之后，形成一功函数金属层以部分地填充该开口；用一导电层填充该开口的剩余部分，使用多晶硅取代法(polysilicon substitute method)与旋转涂布工艺(spin coating process)其中之一。本发明能够填充导电材料至沟槽中而不会有孔隙或气隙。 | ||
| 申请公布号 | CN102129978B | 申请公布日期 | 2013.01.23 |
| 申请号 | CN201010180774.9 | 申请日期 | 2010.05.14 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 曹学文;许光源;詹博文 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;高雪琴 |
| 主权项 | 一种半导体元件的形成方法，包括：提供一基材；形成一虚设栅极于该基材之上；形成一介电材料围绕该虚设栅极；移除该虚设栅极，以于该介电材料中形成一开口；形成一硅材料于该开口中；形成一第一导电层于该硅材料之上；形成一第二导电层于该第一导电层之上；以及进行一退火工艺，使得该第一导电层取代位于该开口中的硅材料。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||