| 发明名称 | 载流子流产生电子器件及方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种包括用于产生载流子流(125)的发生器的电子器件。该发生器包括双极晶体管(100)和控制器，该双极晶体管(100)具有发射极区(120)、集电极区(160)和基极区(140)，并且基极区(140)在发射极区(120)和集电极区(160)之间取向，该控制器用于控制双极晶体管(100)暴露于超过其开路基极击穿电压(BVCEO)的电压，使得发射极区(120)从比发射极区的表面区域更小的第一区域产生载流子流(125)。该电子器件还包括设置成接收载流子流的材料(410)，载流子流用于触发所述材料性能的变化，发射极区(120)设置在基极区(140)和材料(410)之间。在操作中，该双极晶体管(100)受到超过其开路基极击穿电压(BVCEO)的电压，使得发射极区(120)从比发射极区的表面区域更小的第一区域产生载流子流，例如电子。因此，可以利用具有亚光刻尺寸的电子流，而不要求复杂的光刻工艺步骤。本发明尤其适合用于相变存储器。 | ||
| 申请公布号 | CN101868828B | 申请公布日期 | 2013.01.23 |
| 申请号 | CN200880117163.0 | 申请日期 | 2008.11.12 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 托尼·范胡克;雷德弗里德勒·A·M·胡尔克斯;杨·W·斯洛特布曼 |
| 分类号 | G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种电子器件，包括：用于产生载流子流(125)的发生器，所述发生器包括：双极晶体管(100)，具有发射极区(120)、集电极区(160)和基极区(140)，所述基极区(140)在所述发射极区(120)和所述集电极区(160)之间取向，以及控制器，用于控制双极晶体管(100)暴露于超过其开路基极击穿电压(BVCEO)的电压，使得发射极区(120)从比发射极区的表面区域更小的第一区域产生载流子流(125)，其中，所述集电极区包括具有横向梯度的掺杂分布，以增强从所述发射极区(120)的第一区域产生载流子流。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||