一种奈米碳管阵列生长方法

摘要

一种奈米碳管阵列生长方法，包括以下步骤：提供一平滑基底，将催化剂沈积于该基底表面，将沈积有催化剂的基底在气体保护下加热至一预定温度后通入碳源气与保护气体之混合气体，控制该混合气体的流速及流量比，使催化剂温度与环境温度之温差在50℃以上，且使碳源气之分压低于20％，反应5–30分钟使奈米碳管阵列从基底长出。该奈米碳管阵列中的奈米碳管呈束状。