| 发明名称 | 浅槽隔离结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种浅槽隔离结构及其形成方法，所述形成方法包括：在半导体衬底上形成腐蚀阻挡层；刻蚀所述腐蚀阻挡层和半导体衬底，形成沟槽；在所述腐蚀阻挡层的表面以及沟槽的侧壁、底部形成保护层；在形成有保护层的所述沟槽内填充介质材料，形成介质层；在所述介质层上形成分子筛；透过所述分子筛向所述介质层通入反应气体，以去除全部介质层，从而在所述沟槽内形成空气间隔；在所述分子筛上形成绝缘介质层。本技术方案提供的浅槽隔离结构的制作方法，工艺简单，成本较低。 | ||
| 申请公布号 | CN102891100A | 申请公布日期 | 2013.01.23 |
| 申请号 | CN201110207818.7 | 申请日期 | 2011.07.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李凡 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种浅槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：在半导体衬底上形成腐蚀阻挡层；刻蚀所述腐蚀阻挡层和半导体衬底，形成沟槽；在所述腐蚀阻挡层的表面以及沟槽的侧壁、底部形成保护层；在形成有保护层的所述沟槽内填充介质材料，形成介质层；在所述介质层上形成分子筛；透过所述分子筛向所述介质层通入反应气体，以去除全部介质层，从而在所述沟槽内形成空气间隔；在所述分子筛上形成绝缘介质层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||