| 摘要 |
本发明系揭示一种用于半导体制程的薄膜形成装置，其包括：一来源气体供应电路，其系用以将该来源气体供应至一制程容器，而在目标基板上沉积一薄膜；及一混合气体供应电路，其系用以将含有一掺杂气体(以杂质掺杂薄膜)与一稀释气体(用于稀释掺杂气体)的一混合气体供应至该制程容器。该混合气体供应电路包括：一混合气体槽，其系配置在该制程容器之外以混合该掺杂气体与该稀释气体，以形成该混合气体；一混合气体供应线，其系用以将该混合气体槽的该混合气体供应至该制程容器；一掺杂气体供应电路，其系用以将该掺杂气体供应至该混合气体槽；及一稀释气体供应电路，其系用以将该稀释气体供应至该混合气体槽。 |
