发明名称 用于使厚膜成像之奈米复合光阻组合物
摘要 本发明系关于一种作为正性光阻之适合于以成像方式曝光及显影之光阻组合物,其包含一正性光阻组合物及一具有等于或大于10奈米之平均粒径之无机颗粒材料,其中光阻涂层膜之厚度大于5微米。该正性光阻组合物可选自(1)一包含(i)一具有酸不稳定性基团之成膜树脂,及(ii)一光酸产生剂之组合物,或(2)一包含(i)一成膜酚醛树脂,及(ii)一光活性化合物之组合物,或(3)一包含(i)一成膜树脂,(ii)一光酸产生剂,及(iii)一溶解抑制剂之组合物。
申请公布号 TWI383258 申请公布日期 2013.01.21
申请号 TW095108231 申请日期 2006.03.10
申请人 AZ电子材料IP股份有限公司 日本 发明人 陈春伟;卢炳宏;庄弘;马克 尼瑟
分类号 G03F7/039;G03F7/075;H01L21/027 主分类号 G03F7/039
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 日本