功率金氧半导体阵列

摘要

一种功率金氧半导体阵列的结构，将功率金氧半导体阵列置于闸极垫下方，能善用闸极垫下方空间，增加元件积集度。而将此阵列与知位于源极垫下方之功率金氧半导体阵列利用电路连结区相连成阵列对时，即可共用同一闸极垫与源极垫。达到增加元件积集度之目的。