发明名称 |
在光微影基板之电浆蚀刻制程期间改进关键尺寸性能的方法 |
摘要 |
本发明提供一种用来在光微影基板的电浆蚀刻制程期间改进关键尺寸性能的方法,其中基板具有薄膜。使用第一组制程条件在光微影基板上沉积钝化膜。使用第二组制程条件而从光微影基板蚀刻沉积膜。使用第三组制程条件蚀刻光微影基板的曝露表面。在光微影基板的电浆制程期间,监控光微影基板的关键尺寸性能,而透过调整光微影基板之沈积及蚀刻电浆制程以确保获得目标均匀性及特征宽度。 |
申请公布号 |
TWI383244 |
申请公布日期 |
2013.01.21 |
申请号 |
TW096129128 |
申请日期 |
2007.08.08 |
申请人 |
欧利康美国公司 美国 |
发明人 |
杰森 普鲁荷夫;苏尼尔 雪尼瓦森;大卫 强森;罗斯 威斯特曼 |
分类号 |
G03F1/00 |
主分类号 |
G03F1/00 |
代理机构 |
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代理人 |
桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
主权项 |
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地址 |
美国 |